Tärkeimmät erotpiinitridi-substraattija substraatti ovat niiden määritelmät, käyttötarkoitukset ja ominaisuudet.
Piinitridi-substraatti:Piinitridi-substraattion keraaminen materiaali, jota käytetään pääasiassa tehopuolijohdelaitteiden, erityisesti tehomoduulien, valmistukseen. Sillä on korkea lämmönjohtavuus, korkea mekaaninen lujuus ja hyvä lämpösovitus, ja se sopii käyttöskenaarioihin, joissa vaaditaan suurta luotettavuutta ja korkeaa lämpötilan kestoa. Substraatti: Alustalla tarkoitetaan yleensä alla olevaa tukirakennetta, jota käytetään lastun valmistuksessa. Yleisiä substraattimateriaaleja ovat yksikidepiikiekot, SOI-substraatit, SiGe-substraatit jne. Substraatin valinta riippuu erityisistä sovellusvaatimuksista, kuten integroiduista piireistä, mikroprosessoreista, muistista jne.
Korkea lämmönjohtavuus: Piinitridin lämmönjohtavuus on jopa 80 W/m·K tai enemmän, mikä sopii suuritehoisten laitteiden lämmönpoistotarpeisiin. Suuri mekaaninen lujuus: Sillä on korkea taivutuslujuus ja suuri murtolujuus, mikä varmistaa sen korkean luotettavuuden. Lämpölaajenemiskertoimen sovitus: Se on hyvin samanlainen kuin SiC-kidealusta, mikä varmistaa vakaan yhteensopivuuden näiden kahden välillä ja parantaa yleistä luotettavuutta .
Substraatti
Eri tyypit : Mukaan lukien yksikiteiset piikiekot, SOI-substraatit, SiGe-substraatit jne., jokaisella substraattimateriaalilla on erityiset käyttöalueet ja suorituskykyetunsa.
Laaja käyttöalue : Käytetään erilaisten sirujen ja laitteiden, kuten integroitujen piirien, mikroprosessorien, muistien jne., valmistukseen.
Piinitridisubstraatti : Käytetään pääasiassa suuritehoisissa laitteissa, kuten uusissa energiaajoneuvoissa ja nykyaikaisissa kuljetusteissä. Erinomaisen lämmönpoistokykynsä, mekaanisen lujuutensa ja vakautensa ansiosta se sopii korkeisiin luotettavuusvaatimuksiin monimutkaisissa ympäristöissä .
Substraatti : Käytetään laajasti erilaisissa sirujen valmistuksessa, ja erityinen sovellus riippuu substraatin tyypistä. Esimerkiksi yksikiteisiä piikiekkoja käytetään laajalti integroitujen piirien ja mikroprosessorien valmistuksessa, SOI-substraatit soveltuvat tehokkaisiin, pienitehoisiin integroituihin piireihin ja SiGe-substraatteja käytetään heteroliitosbipolaarisiin transistoreihin ja sekasignaalipiireihin jne. .